STV160NF02LT4

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerSO-10

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

160 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.6 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

210 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

3.65 mm

長さ：

7.6 mm

シリーズ：

STV160NF02

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

9.5 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

210 S

立ち下がり時間：

240 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

800 ns

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

28 ns

Tags

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