RQ3E120BNTB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSMT-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

29 nC

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

46 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

パーツ番号エイリアス：

RQ3E120BN

単位重量：

0.196723 oz

Tags

RQ3E12, RQ3E1, RQ3E, RQ3