NCV5701BDR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

ゲートドライバー

JBoss：

Y

製品：

IGBT、MOSFETゲートドライバ

タイプ：

ハーフブリッジ

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

ドライバーの数：

1 Driver

出力電流：

5 A

立ち上がり時間：

9.2 ns

立ち下がり時間：

7.9 ns

供給電圧-最小：

5.5 V

供給電圧-最大：

35 V

伝播遅延-最大：

70 ns

動作供給電流：

900 uA

Pd-消費電力：

700 mW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

資格：

AEC-Q100

包装：

リール

特徴：

プログラム可能な遅延、負の出力電圧によるDESAT保護

出力電圧：

- 5 V

テクノロジー：

Si

ブランド：

オン・セミコンダクター

シャットダウン：

シャットダウン

最大ターンオフ遅延時間：

75 ns

最大ターンオン遅延時間：

75 ns

製品タイプ：

ゲートドライバー

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

PMIC-パワーマネジメントIC

Tags

NCV5701, NCV570, NCV57, NCV5, NCV