IRFZ48SPBF

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

50 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

18 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

110 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

190 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

IRFZ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.65 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

27 S

立ち下がり時間：

250 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

250 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

210 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.1 ns

単位重量：

0.050717 oz

Tags

IRFZ48S, IRFZ48, IRFZ4, IRFZ, IRF