MRF5S19150HR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

14 dB

出力電力：

32 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-880-3

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

5.08 mm

長さ：

34.16 mm

動作周波数：

1.9 GHz to 2 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

13.8 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

427 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 15 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

単位重量：

0.343346 oz

Tags

MRF5S19150H, MRF5S1915, MRF5S191, MRF5S19, MRF5S1, MRF5S, MRF5, MRF