MRF5S19060NBR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

14 dB

出力電力：

12 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-272-4

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

2.64 mm

長さ：

23.67 mm

動作周波数：

1.93 GHz to 1.99 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.07 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

218.8 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 15 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

単位重量：

0.067412 oz

Tags

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