MRFG35003N6AT1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタタイプ：

pHEMT

テクノロジー：

GaAs

利得：

10 dB

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

8 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 5 V

Id-連続ドレイン電流：

2.9 A

最高作動温度：

+ 85 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PLD-1.5

包装：

リール

構成：

シングルデュアルソース

動作周波数：

3.55 GHz

製品：

RF JFET

シリーズ：

MRFG35003N6AT1

タイプ：

GaAs pHEMT

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

P1dB-圧縮ポイント：

3 W

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

935309639515

単位重量：

0.009877 oz

Tags

MRFG35003N, MRFG35003, MRFG3500, MRFG, MRF