IXTA200N055T2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

200 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

109 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

360 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

4.83 mm

長さ：

9.65 mm

シリーズ：

IXTA200N055

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

TrenchT2 Power MOSFET

幅：

10.41 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

50 S

立ち下がり時間：

27 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

22 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

49 ns

典型的なターンオン遅延時間：

26 ns

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTA200N05, IXTA200, IXTA20, IXTA2, IXTA, IXT