SIHS20N50C-E3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

270 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

65 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

20.8 mm

長さ：

16.1 mm

幅：

5.3 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

立ち下がり時間：

44 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns

典型的なターンオン遅延時間：

80 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

SIHS, SIH