NSS35200CF8T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

1206A

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 35 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 55 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.3 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS35200CF8T1G

高さ：

1.05 mm

長さ：

3.05 mm

包装：

リール

幅：

1.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 2 A

Pd-消費電力：

635 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSS35200C, NSS35, NSS3, NSS