IRFHM830DTR2PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

13 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.8 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

1.05 mm

長さ：

3.3 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

69 S

立ち下がり時間：

6.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9.1 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.8 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001551956

単位重量：

0.017637 oz

Tags

IRFHM830DT, IRFHM830D, IRFHM830, IRFHM83, IRFHM8, IRFHM, IRFH, IRF