SIRA52DP-T1-RE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V, - 16 V

Qg-ゲートチャージ：

97.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

48 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET、PowerPAK

包装：

リール

シリーズ：

お客様

ブランド：

Vishay / Siliconix

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

6000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.017870 oz

Tags

SIRA52D, SIRA52, SIRA5, SIRA, SIR