NJW21194G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

250 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

400 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.4 V

最大DCコレクタ電流：

16 A

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NJW21194

DC電流ゲインhFEMax：

80

高さ：

18.7 mm

長さ：

15.6 mm

包装：

チューブ

幅：

4.8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.238311 oz

Tags

NJW21194, NJW211, NJW21, NJW2, NJW