FDU5N50NZTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

IPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

62 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.54 S

立ち下がり時間：

21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

22 ns

ファクトリーパックの数量：

5040

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

28 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

Tags

FDU5N5, FDU5N, FDU5, FDU