DMN3012LDG-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerDI3333-B

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms, 6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V, 750 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

6.1 nC, 12.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

27 S, 46 S

立ち下がり時間：

2.3 ns, 2.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.7 ns, 3.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6.4 ns, 12.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.1 ns, 4.4 ns

単位重量：

0.001552 oz

Tags

DMN3012, DMN301, DMN30, DMN3, DMN