MRF085HR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

210 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 133 V

利得：

25.6 dB

出力電力：

85 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-650H-4

包装：

リール

動作周波数：

1.8 MHz to 1215 MHz

シリーズ：

MRF085H

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

235 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

パーツ番号エイリアス：

935351494128

単位重量：

0 oz

Tags

MRF0, MRF