NTTD1P02R2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Micro-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.45 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

160 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.95 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.5 S

立ち下がり時間：

20 ns, 30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns, 30 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

30 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

Tags

NTTD1, NTTD, NTT