STD14NM50NAG

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

280 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

90 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

商標名：

MDmesh

シリーズ：

STD14NM50NAG

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

42 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

Tags

STD14N, STD14, STD1, STD