NSV2SC5658M3T5G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-723-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

5 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

400 mV

最大DCコレクタ電流：

150 mA

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

560 at 1 mA, 6 VDC

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

260 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000045 oz

Tags

NSV2, NSV