IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G
Mfr. #:
IPI034NE7N3 G
メーカー:
Infineon Technologies
説明:
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
IPI034NE7N3 G データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー:
インフィニオン
製品カテゴリ:
MOSFET
JBoss:
Y
テクノロジー:
Si
取り付けスタイル:
スルーホール
パッケージ/ケース:
TO-262-3
チャネル数:
1 Channel
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
75 V
Id-連続ドレイン電流:
100 A
Rds On-ドレイン-ソース抵抗:
3.4 mOhms
Vgs-ゲート-ソース間電圧:
20 V
Qg-ゲートチャージ:
88 nC
最低動作温度:
- 55 C
最高作動温度:
+ 175 C
Pd-消費電力:
214 W
構成:
独身
商標名:
OptiMOS
包装:
チューブ
高さ:
9.45 mm
長さ:
10.2 mm
トランジスタタイプ:
1 N-Channel
幅:
4.5 mm
ブランド:
インフィニオンテクノロジーズ
立ち下がり時間:
10 ns
製品タイプ:
MOSFET
立ち上がり時間:
85 nS
ファクトリーパックの数量:
500
サブカテゴリ:
MOSFET
典型的なターンオフ遅延時間:
40 nS
パーツ番号エイリアス:
IPI034NE7N3GAKSA1 SP000641734
単位重量:
0.084199 oz
Tags
IPI034NE7N3G, IPI034, IPI03, IPI0, IPI
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***et
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin TO-262 Tube
*** Electronic Components
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
***
N-Channel 75 V 1A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
モデル メーカー 説明 ストック 価格
IPI034NE7N3 G
DISTI # IPI034NE7N3G-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IPI034NE7N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RoHS: Compliant
    7459
    • 1000:$1.2700
    • 500:$1.3300
    • 100:$1.3900
    • 25:$1.4500
    • 1:$1.5600
    IPI034NE7N3GAKSA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RoHS: Compliant
    498
    • 1:$0.0200
    • 25:$0.0200
    • 100:$0.0200
    • 500:$0.0200
    • 1000:$0.0200
    IPI034NE7N3 G
    DISTI # 726-IPI034NE7N3G
    Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant
    0
      画像 モデル 説明
      IPI034NE7N3 G

      Mfr.#: IPI034NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-G

      MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      IPI034NE7N3GAKSA1

      Mfr.#: IPI034NE7N3GAKSA1

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3GAKSA1-1190

      Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI034NE7N3

      Mfr.#: IPI034NE7N3

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-1190

      ブランドニューオリジナル
      IPI034NE7N3G

      Mfr.#: IPI034NE7N3G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3G-1190

      Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI034NE7N3G(034NE7N)

      Mfr.#: IPI034NE7N3G(034NE7N)

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3G-034NE7N--1190

      ブランドニューオリジナル
      IPI034NE7N3GS

      Mfr.#: IPI034NE7N3GS

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3GS-1190

      ブランドニューオリジナル
      IPI034NE7N3 G

      Mfr.#: IPI034NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      可用性
      ストック:
      Available
      注文中:
      3500
      数量を入力してください:
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      皮切りに
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