MRFE6VP8600HR6

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

140 V

利得：

18.8 dB

出力電力：

600 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230

包装：

リール

構成：

デュアル

動作周波数：

470 MHz to 860 MHz

シリーズ：

MRFE6VP8600H

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

フォワード相互コンダクタンス-最小：

15.6 S

Pd-消費電力：

1.52 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

150

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.07 V

単位重量：

0.464343 oz

Tags

MRFE6VP8, MRFE6VP, MRFE6V, MRFE6, MRFE, MRF