MRFE6VP6300HSR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

130 V

利得：

26.6 dB

出力電力：

300 W

最低動作温度：

- 30 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.8 MHz to 600 MHz

シリーズ：

MRFE6VP6300

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

Pd-消費電力：

1.05 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

単位重量：

0.161213 oz

Tags

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