NTB6412ANT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

41 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

18.2 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

100 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

167 W

包装：

リール

シリーズ：

NTB6412AN

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

31 S

立ち下がり時間：

126 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

140 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTB6412, NTB641, NTB64, NTB6, NTB