SQJ431EP-T2_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

213 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

106 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

SQ

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

ビシェイ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

16 S

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

44 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

Tags

SQJ431EP-T, SQJ431E, SQJ431, SQJ43, SQJ4, SQJ