NPT2022

製品属性

属性値

メーカー：

MACOM

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN Si

利得：

21 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

160 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

3 V

Id-連続ドレイン電流：

24 mA

出力電力：

100 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

取り付けスタイル：

スクリューマウント

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

2 GHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 85 C

ブランド：

MACOM

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 1.6 V

Tags

NPT202, NPT20, NPT2, NPT