GA20JT12-263

製品属性

属性値

メーカー：

GeneSiC半導体

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

45 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

3.44 V

Qg-ゲートチャージ：

104 nC

Pd-消費電力：

282 W

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

GA20JT12

ブランド：

GeneSiC半導体

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

単位重量：

0.056438 oz

Tags

GA20, GA2