DMN33D8LV-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、NPN

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

350 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

1.25 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

430 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

13.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.9 ns

Tags

DMN33D, DMN33, DMN3, DMN