IRF1902GTRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

85 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Qg-ゲートチャージ：

7.5 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5.6 S

立ち下がり時間：

19 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

SP001561612

単位重量：

0.019048 oz

Tags

IRF19, IRF1, IRF