NSV20101JT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-89-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

350 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS20101J

高さ：

0.7 mm

長さ：

1.6 mm

包装：

リール

幅：

0.85 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSV20, NSV2, NSV