VND5N07-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

70 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

18 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

包装：

チューブ

シリーズ：

VND5N07-E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3 S

立ち下がり時間：

1100 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

400 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

3900 ns

典型的なターンオン遅延時間：

150 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

VND5N0, VND5N, VND5, VND