DMNH6011LK3-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

49.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

10.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.7 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

28.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.9 ns

単位重量：

0.011640 oz

Tags

DMNH601, DMNH6, DMNH, DMN