2N3250A/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

最大DCコレクタ電流：

200 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 175 C

DC電流ゲインhFEMax：

150 at 10 mA, 1 V

包装：

リール

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

15 at 50 mA, 1 V

Pd-消費電力：

1.2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N3250A, 2N3250, 2N325, 2N32, 2N3