R6025JNZC8

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3PF

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

182 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

57 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

85 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

PrestoMOS

包装：

バルク

シリーズ：

BM14270MUV-LB

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24 ns

ファクトリーパックの数量：

360

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

33 ns

Tags

R6025J, R6025, R602, R60