FQI9N08LTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

9.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

210 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3.75 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

7.88 mm

長さ：

10.29 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.83 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

180 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.5 ns

単位重量：

0.084199 oz

Tags

FQI9N0, FQI9N, FQI9, FQI