SH8K10SGZETB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A, 8.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

24 mOhms, 19.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.4 nC, 8.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

11 ns, 15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns, 27 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

37 ns, 49 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns, 11 ns

パーツ番号エイリアス：

SH8K10S

Tags

SH8K1, SH8K, SH8