QPD1016

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

23.9 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

145 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 7 V to 1.5 V

Id-連続ドレイン電流：

70 A

出力電力：

680 W

最大ドレインゲート電圧：

55 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

714 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI780-2

構成：

独身

動作周波数：

DC to 1.7 GHz

ブランド：

カーボ

開発キット：

QPD1016EVB01

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD