SQM40016EM_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

250 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

163 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

300 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

181 S

立ち下がり時間：

35 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

215 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

59 ns

典型的なターンオン遅延時間：

24 ns

Tags

SQM4001, SQM400, SQM40, SQM4, SQM