ZXTD1M832TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

T

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MLP-832-8

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 12 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 20 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 240 mV

最大DCコレクタ電流：

4.4 A

ゲイン帯域幅積fT：

110 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

300

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

包装：

リール

幅：

2 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

- 4 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 180 at 2.5 A, 2 V, 60 at 8 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V

Pd-消費電力：

1.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

ZXTD, ZXT