IXFN94N50P2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227B-4

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

テクノロジー：

Si

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

11 ns

Id-連続ドレイン電流：

68 A

動作供給電圧：

-

Pd-消費電力：

780 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms

立ち上がり時間：

34 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

HiPerFET

典型的なターンオフ遅延時間：

67 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Tags

IXFN9, IXFN, IXF