IXFN82N60Q3

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

シャーシマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

66 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

75 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

275 nC

Pd-消費電力：

960 W

構成：

独身

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXFN82N60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

300 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN8, IXFN, IXF