NDBA180N10BT4H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

180 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

95 nC

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

200 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

150 S

立ち下がり時間：

130 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

320 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

185 ns

典型的なターンオン遅延時間：

95 ns

単位重量：

0.077603 oz

Tags

NDBA1, NDBA, NDB