NSV1C301ET4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

140 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.115 V

最大DCコレクタ電流：

6 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

360

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

33 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.009185 oz

Tags

NSV1C3, NSV1C, NSV1, NSV