SIHFR1N60ATR-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

1.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

14 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

36 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

SIHFR

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.88 S

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.8 ns

Tags

SIHFR1N, SIHFR1, SIHFR, SIHF, SIH