MJD45H11TM

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

E

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 5 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 1 V

最大DCコレクタ電流：

8 A

ゲイン帯域幅積fT：

40 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD45H11

DC電流ゲインhFEMax：

60

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.6 mm

包装：

リール

幅：

6.1 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

- 8 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

MJD45H11TM_NL

単位重量：

0.016579 oz

Tags

MJD45H11TM, MJD45H11T, MJD45H, MJD45, MJD4, MJD