NILMS4501NR2

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

QFN-4

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

24 V

Id-連続ドレイン電流：

9.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

2.7 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.9 mm

長さ：

6.2 mm

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

5.2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

23 S

立ち下がり時間：

6 ns, 6.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns, 22.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 8.5 ns

Tags

NIL