CGH55030F2

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN

利得：

12 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 10 V to 2 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

出力電力：

25 W

最大ドレインゲート電圧：

-

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

-

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

440166

包装：

トレイ

応用：

-

構成：

独身

高さ：

3.43 mm

長さ：

14.09 mm

動作周波数：

4.5 GHz to 6 GHz

動作温度範囲：

-

製品：

GaN HEMT

幅：

4.19 mm

ブランド：

Wolfspeed / Cree

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

ゲート-ソースカットオフ電圧：

-

クラス：

-

立ち下がり時間：

-

NF-雑音指数：

-

P1dB-圧縮ポイント：

-

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

-

立ち上がり時間：

-

ファクトリーパックの数量：

60

サブカテゴリ：

トランジスタ

典型的なターンオフ遅延時間：

-

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3 V

Tags

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