PSMN6R9-100YSFX

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK56-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

90 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

50.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

238 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14.2 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14.8 ns

Tags

PSMN6, PSMN, PSM