2SD1816S-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

4 A

ゲイン帯域幅積fT：

130 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD1816

高さ：

2.3 mm

包装：

バルク

幅：

6.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SD1816S, 2SD1816, 2SD181, 2SD18, 2SD1, 2SD