AFT18HW355SR6

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

15.2 dB

出力電力：

63 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 225 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230S-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.8 GHz

シリーズ：

AFT18HW355S

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

150

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

パーツ番号エイリアス：

935320115128

単位重量：

0.297698 oz

Tags

AFT18HW, AFT18H, AFT18, AFT1, AFT