MMIX1T660N04T4

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

Trench T4

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

取り付けスタイル：

SMD / SMT

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

構成：

独身

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

260 ns

Id-連続ドレイン電流：

660 A

Pd-消費電力：

830 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

850 uOhms

立ち上がり時間：

430 ns

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

TrenchT4

典型的なターンオフ遅延時間：

386 ns

典型的なターンオン遅延時間：

40 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Tags

MMIX1T, MMIX1, MMIX, MMI